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1500V 高壓 MOS 分立器件 ◆導(dǎo)通電阻低；
◆開(kāi)關(guān)速度快；
◆雪崩耐量高；
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RC (逆導(dǎo)) IGBT 分立器件 ◆IGBT/FWD集于同一芯片；
◆通態(tài)壓降低；
◆可靠性高；
◆成本低；
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M3i-低飽和壓降型 IGBT 分立器件 ◆采用Trench+Fieldstop技術(shù)；
◆軟開(kāi)通特性，開(kāi)通 di/dt 小，EMI 低；
◆低飽和壓降，導(dǎo)通損耗??；
◆關(guān)斷拖尾電流小，軟關(guān)斷特性；
◆正溫度系數(shù)，適合并聯(lián)；
◆高的短路電流能力(6us以上)；
◆開(kāi)關(guān)速度快，開(kāi)關(guān)損耗?。?br> ◆TVj max 達(dá)175℃；
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GTU-快速型 IGBT 分立器件 ◆采用Trench+Fieldstop技術(shù)；
◆軟開(kāi)通特性，開(kāi)通 di/dt 小，EMI 低；
◆關(guān)速度快，關(guān)損耗小
◆關(guān)斷拖尾電流小，軟關(guān)斷特性；
◆正溫度系數(shù)，適合并聯(lián)；
◆高的短路電流能力(6us以上)；
◆開(kāi)關(guān)速度快，開(kāi)關(guān)損耗?。?br> ◆TVj max 達(dá)175℃；
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